NexFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
240
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果240
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NexFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)GradePackage / CaseSeriesTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdSupplier Device PackageCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
CSD18509Q5B
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
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1,270 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
40 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.2V @ 250µA
8-VSON-CLIP (5x6)
100A (Ta)
4.5V, 10V
1.2mOhm @ 32A, 10V
195 nC @ 10 V
±20V
13900 pF @ 20 V
3.1W (Ta), 195W (Tc)
-
CSD18534KCS
MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
60 V
-
TO-220-3
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.3V @ 250µA
TO-220-3
45A (Ta), 100A (Tc)
4.5V, 10V
9.5mOhm @ 40A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 30 V
107W (Tc)
-
CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
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4,570 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
80 V
-
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.2V @ 250µA
TO-263 (DDPAK-3)
200A (Ta)
6V, 10V
2.3mOhm @ 100A, 10V
156 nC @ 10 V
±20V
12200 pF @ 40 V
375W (Tc)
-
CSD19535KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
TO-220-3
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.4V @ 250µA
TO-220-3
150A (Ta)
6V, 10V
3.6mOhm @ 100A, 10V
101 nC @ 10 V
±20V
7930 pF @ 50 V
300W (Tc)
-
CSD19502Q5BT
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
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7,299 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
80 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.3V @ 250µA
8-VSON-CLIP (5x6)
100A (Ta)
6V, 10V
4.1mOhm @ 19A, 10V
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
3.1W (Ta), 195W (Tc)
-
CSD18510KCS
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
40 V
-
TO-220-3
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.3V @ 250µA
TO-220-3
200A (Ta)
4.5V, 10V
1.7mOhm @ 100A, 10V
75 nC @ 4.5 V
±20V
11400 pF @ 20 V
250W (Ta)
-
CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
12 V
-
6-UFBGA, DSBGA
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.3V @ 250µA
6-DSBGA (1x1.5)
3.5A (Ta)
2.5V, 4.5V
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
11.2 nC @ 4.5 V
±10V
1370 pF @ 6 V
1.9W (Ta)
-
CSD17506Q5A
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
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9,313 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.8V @ 250µA
8-VSONP (5x6)
100A (Tc)
4.5V, 10V
4mOhm @ 20A, 10V
11 nC @ 4.5 V
±20V
1650 pF @ 15 V
3.2W (Ta)
-
CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerVDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.9V @ 250µA
8-VSONP (3x3.3)
20A (Ta)
4.5V, 10V
10.2mOhm @ 8A, 10V
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
3.2W (Ta), 29W (Tc)
-
CSD19505KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
80 V
-
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.2V @ 250µA
TO-263 (DDPAK-3)
200A (Ta)
6V, 10V
3.1mOhm @ 100A, 10V
76 nC @ 10 V
±20V
7920 pF @ 40 V
300W (Tc)
-
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
12 V
-
4-UFBGA, DSBGA
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.3V @ 250µA
4-DSBGA (1x1)
1.6A (Ta)
2.5V, 4.5V
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
7.8 nC @ 4.5 V
±10V
862 pF @ 6 V
1.8W (Ta)
-
CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
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6,000 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
12 V
-
6-UFBGA, DSBGA
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.3V @ 250µA
6-DSBGA (1x1.5)
3.5A (Ta)
2.5V, 4.5V
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
11.2 nC @ 4.5 V
±10V
1370 pF @ 6 V
1.9W (Ta)
-
CSD19538Q2
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
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66,236 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
6-WDFN Exposed Pad
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.8V @ 250µA
6-WSON (2x2)
14.4A (Ta)
6V, 10V
59mOhm @ 5A, 10V
5.6 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
-
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
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17,560 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerVDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.9V @ 250µA
8-VSONP (3x3.3)
20A (Ta)
4.5V, 10V
10.2mOhm @ 8A, 10V
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
3.2W (Ta), 29W (Tc)
-
CSD17577Q3A
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
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17,617 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerVDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.8V @ 250µA
8-VSONP (3x3.3)
35A (Ta)
4.5V, 10V
4.8mOhm @ 16A, 10V
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
2.8W (Ta), 53W (Tc)
-
CSD16410Q5A
MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.3V @ 250µA
8-VSONP (5x6)
16A (Ta), 59A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm @ 17A, 10V
5 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
740 pF @ 12.5 V
3W (Ta)
-
CSD17552Q3A
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
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2,500 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerVDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.9V @ 250µA
8-VSONP (3x3.3)
15A (Ta), 60A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm @ 11A, 10V
12 nC @ 4.5 V
±20V
2050 pF @ 15 V
2.6W (Ta)
-
CSD16404Q5A
MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.1V @ 250µA
8-VSONP (5x6)
21A (Ta), 81A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm @ 20A, 10V
8.5 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
1220 pF @ 12.5 V
3W (Ta)
-
CSD16322Q5
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.4V @ 250µA
8-VSON-CLIP (5x6)
21A (Ta), 97A (Tc)
3V, 8V
5mOhm @ 20A, 8V
9.7 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
1365 pF @ 12.5 V
3.1W (Ta)
-
CSD17553Q5A
MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
8-PowerTDFN
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.9V @ 250µA
8-VSONP (5x6)
23.5A (Ta), 100A (Tc)
4.5V, 10V
3.1mOhm @ 20A, 10V
21.5 nC @ 4.5 V
±20V
3252 pF @ 15 V
3.1W (Ta)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。