图片仅供参考,请参见产品规格
供应商:
Texas Instruments描述:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
感谢您访问我们的网站,如果您有任何问题,请与我们联系,我们将竭诚为您服务。
您可以通过电子邮件,Skype和填写下面的表格与我们联系。
智勤芯城向全国数百个城市发货。使用下拉选择指定城市以查看运输费用。
运送到特定城市的订单可以根据订单数量和/或包裹大小和重量获得免费送货资格。
类型 | 描述 |
---|---|
Manufacturer | Texas Instruments |
Series | NexFET™ |
Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 862 pF @ 6 V |
CSD13302W - 来自制造商: Texas Instruments, 它是一款 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 CSD13302W 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。