Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi公司是航空航天、国防、通信和工业市场的知名半导体和系统解决方案提供商。公司的产品组合包括高性能和辐射耐受的模拟混合信号集成电路、可编程逻辑器件(FPGA)、片上系统(SoC)、功率管理产品和射频组件。Microsemi的技术广泛应用于航空航天和国防通信、网络基础设施和功率管理等领域。凭借对创新和质量的关注,Microsemi提供可靠和先进的解决方案,帮助客户实现他们的目标。公司在可持续发展和社会责任方面的承诺体现在其业务实践以及环保产品和制造流程上。通过对卓越和客户满意度的执着追求,Microsemi始终是寻求尖端半导体解决方案的组织的可信赖合作伙伴。

晶体管 - JFET

结果:
4
Series
Resistance - RDS(On)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
FET Type
Current Drain (Id) - Max
Power - Max
结果4
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Microsemi Corporation
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeOperating TemperatureSupplier Device PackagePackage / CaseFET TypeVoltage - Breakdown (V(BR)GSS)Drain to Source Voltage (Vdss)Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)Voltage - Cutoff (VGS off) @ IdInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsResistance - RDS(On)Power - MaxGradeCurrent Drain (Id) - MaxQualification
JANTX2N4859
JFET N-CH 30V 360MW TO-18
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
TO-18
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
N-Channel
30 V
30 V
175 mA @ 15 V
10 V @ 500 pA
18pF @ 10V (VGS)
25 Ohms
360 mW
-
-
-
JANTX2N4092UB
JFET N-CH 40V 0.36W SMD
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
4-SMD
4-SMD, No Lead
N-Channel
40 V
40 V
15 mA @ 20 V
-
16pF @ 20V
50 Ohms
360 mW
Military
-
MIL-PRF-19500/431
JANTX2N4093UB
JFET N-CH 40V 0.36W SMD
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
UB
3-SMD, No Lead
N-Channel
40 V
40 V
8 mA @ 20 V
-
16pF @ 20V
80 Ohms
360 mW
Military
-
MIL-PRF-19500/431
JANTX2N4857
JFET N-CH 40V 360MW TO-18
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
TO-18
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
N-Channel
40 V
40 V
100 mA @ 15 V
6 V @ 500 pA
18pF @ 10V (VGS)
40 Ohms
360 mW
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-

关于  晶体管 - JFET

结型栅场效应晶体管(JFET)是一种广泛应用的半导体器件,可作为电子控制开关、放大器或电压控制电阻器。这些器件基于通过改变施加在栅极端口上的电压来控制源极和漏极之间半导体通道中的电流流动原理而工作。 当在栅极和源极之间施加适当极性的电势差时,它改变了通道中电流流动的电阻。这种电阻调节导致源极和漏极之间流动的电流量减少。 JFET的一个显著特点是它们不需要偏置电流进行操作。相反,它们依靠源极和漏极之间半导体通道中的电荷流动来控制电流的流动。这简化了电路设计,并消除了额外的偏置元件的需求。 JFET在需要精确控制电流流动、放大或电压控制电阻的各种电子电路中应用广泛。它们独特的特性和简单性使其适用于电信、音频放大和仪器仪表等领域的各种应用。