深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信等。

XPT™, GenX3™ 系列, 晶体管 - IGBT - 单路

结果:

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	Package / Case	Supplier Device Package	IGBT Type	Operating Temperature	Grade	Current - Collector (Ic) (Max)	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	Reverse Recovery Time (trr)	Series	Current - Collector Pulsed (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Power - Max	Switching Energy	Input Type	Gate Charge	Td (on/off) @ 25°C	Test Condition	Qualification

IXYP10N65C3D1M

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TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TO-220 Isolated Tab

-55°C ~ 175°C (TJ)

15 A

650 V

26 ns

XPT™, GenX3™

50 A

2.6V @ 15V, 10A

53 W

240µJ (on), 170µJ (off)

Standard

18 nC

20ns/77ns

400V, 10A, 50Ohm, 15V

IXYA20N65C3

IXYS

IGBT

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TO-263AA

-55°C ~ 175°C (TJ)

20 A

650 V

34 ns

XPT™, GenX3™

105 A

2.5V @ 15V, 20A

230 W

430µJ (on), 650µJ (off)

Standard

30 nC

19ns/80ns

400V, 20A, 20Ohm, 15V

IXYP10N65B3D1

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP

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TO-220-3

TO-220

-55°C ~ 175°C (TJ)

32 A

650 V

29 ns

XPT™, GenX3™

62 A

1.95V @ 15V, 10A

160 W

300µJ (on), 200µJ (off)

Standard

20 nC

17ns/125ns

400V, 10A, 50Ohm, 15V

IXYP20N65B3D1

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP

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Through Hole

TO-220-3

TO-220

-55°C ~ 175°C (TJ)

58 A

650 V

25 ns

XPT™, GenX3™

108 A

2.1V @ 15V, 20A

230 W

500µJ (on), 450µJ (off)

Standard

29 nC

12ns/103ns

400V, 20A, 20Ohm, 15V

IXXH30N60C3

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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TO-247-3

TO-247AD

-55°C ~ 175°C (TJ)

60 A

600 V

33 ns

XPT™, GenX3™

110 A

2.4V @ 15V, 24A

270 W

500µJ (on), 270µJ (off)

Standard

37 nC

23ns/77ns

400V, 24A, 10Ohm, 15V

IXXQ30N60B3M

IXYS

IGBT

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Through Hole

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P

-55°C ~ 175°C (TJ)

33 A

600 V

36 ns

XPT™, GenX3™

140 A

1.85V @ 15V, 24A

90 W

550µJ (on), 800µJ (off)

Standard

39 nC

23ns/150ns

400V, 24A, 10Ohm, 15V

IXXA30N65C3HV

IXYS

IGBT

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TO-263HV

-55°C ~ 175°C (TJ)

52 A

650 V

33 ns

XPT™, GenX3™

113 A

2.2V @ 15V, 24A

230 W

500µJ (on), 450µJ (off)

Standard

37 nC

33ns/125ns

400V, 24A, 10Ohm, 15V

IXXX200N60B3

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-247-3 Variant

PLUS247™-3

-55°C ~ 175°C (TJ)

380 A

600 V

100 ns

XPT™, GenX3™

900 A

1.7V @ 15V, 100A

1630 W

2.85mJ (on), 4.4mJ (off)

Standard

315 nC

48ns/160ns

360V, 100A, 1Ohm, 15V

IXYH20N65B3

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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Through Hole

TO-247-3

TO-247AD

-55°C ~ 175°C (TJ)

58 A

650 V

25 ns

XPT™, GenX3™

108 A

2.1V @ 15V, 20A

230 W

500µJ (on), 450µJ (off)

Standard

29 nC

12ns/103ns

400V, 20A, 20Ohm, 15V

IXYH40N65B3D1

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-247-3

TO-247 (IXTH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

86 A

650 V

37 ns

XPT™, GenX3™

195 A

2V @ 15V, 40A

300 W

800µJ (on), 1.25mJ (off)

Standard

68 nC

20ns/140ns

400V, 30A, 10Ohm, 15V

IXYH20N65C3D1

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

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Through Hole

TO-247-3

TO-247 (IXYH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

50 A

650 V

34 ns

XPT™, GenX3™

105 A

2.5V @ 15V, 20A

230 W

430µJ (on), 350µJ (off)

Standard

30 nC

19ns/80ns

400V, 20A, 20Ohm, 15V

IXXA50N60B3

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TO-263AA

-55°C ~ 175°C (TJ)

120 A

600 V

40 ns

XPT™, GenX3™

200 A

1.8V @ 15V, 36A

600 W

670µJ (on), 1.2mJ (off)

Standard

70 nC

27ns/150ns

360V, 36A, 5Ohm, 15V

IXYH30N65B3D1

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-247-3

TO-247 (IXYH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

70 A

650 V

38 ns

XPT™, GenX3™

160 A

2.1V @ 15V, 30A

270 W

830µJ (on), 640µJ (off)

Standard

45 nC

17ns/87ns

400V, 30A, 10Ohm, 15V

IXXH75N60B3

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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Through Hole

TO-247-3

TO-247AD (IXXH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

160 A

600 V

75 ns

XPT™, GenX3™

300 A

1.85V @ 15V, 60A

750 W

1.7mJ (on), 1.5mJ (off)

Standard

107 nC

35ns/118ns

400V, 60A, 5Ohm, 15V

IXYA20N120C3HV

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TO-263HV

-55°C ~ 175°C (TJ)

40 A

1200 V

29 ns

XPT™, GenX3™

96 A

3.4V @ 15V, 20A

278 W

1.3mJ (on), 1mJ (off)

Standard

53 nC

20ns/90ns

600V, 20A, 10Ohm, 15V

IXYH50N65C3D1

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-247-3

TO-247 (IXTH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

132 A

650 V

36 ns

XPT™, GenX3™

250 A

2.1V @ 15V, 36A

600 W

800µJ (on), 800µJ (off)

Standard

86 nC

20ns/90ns

400V, 36A, 5Ohm, 15V

IXXP50N60B3

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-220-3

-55°C ~ 175°C (TJ)

120 A

600 V

40 ns

XPT™, GenX3™

200 A

1.8V @ 15V, 36A

600 W

670µJ (on), 1.2mJ (off)

Standard

70 nC

27ns/150ns

360V, 36A, 5Ohm, 15V

IXYT20N120C3D1HV

IXYS

IGBT

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

TO-268HV (IXYT)

-55°C ~ 150°C (TJ)

36 A

1200 V

29 ns

XPT™, GenX3™

88 A

3.4V @ 15V, 20A

230 W

1.3mJ (on), 1mJ (off)

Standard

53 nC

20ns/90ns

600V, 20A, 10Ohm, 15V

IXYH75N65C3D1

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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TO-247-3

TO-247 (IXYH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

175 A

650 V

65 ns

XPT™, GenX3™

360 A

2.3V @ 15V, 60A

750 W

2mJ (on), 950µJ (off)

Standard

122 nC

26ns/93ns

400V, 60A, 3Ohm, 15V

IXYH120N65C3

IXYS

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

TO-247-3

TO-247 (IXYH)

-55°C ~ 175°C (TJ)

260 A

650 V

29 ns

XPT™, GenX3™

620 A

2.8V @ 15V, 100A

1360 W

1.25mJ (on), 500µJ (off)

Standard

265 nC

28ns/127ns

400V, 50A, 2Ohm, 15V

关于晶体管 - IGBT - 单路

单个绝缘栅双极晶体管（IGBT）是由多个层次组成、配备三个端口的复杂半导体器件。这些器件专门设计用于处理高电流并提供快速开关能力，在广泛的应用中具有高度价值。单个IGBT的性能和特性由几个关键参数定义。这些参数包括器件类型、集电极-发射极击穿电压、集电极电流额定值、脉冲集电极电流额定值、VCE(ON)、开关能量和门电荷。器件类型指的是IGBT的特定型号或变体。不同的模型可能具有不同的特点和特性，以满足不同应用的要求。集电极-发射极击穿电压表示器件可以承受的最大电压，不会发生击穿或故障。集电极电流额定值指的是IGBT可以处理的最大持续电流，同时保持正常功能。脉冲集电极电流额定值指定IGBT在短时间内可以承受的最大电流，通常在脉冲或瞬态条件下。 VCE(ON)表示当IGBT完全开启并传导电流时，集电极-发射极结的电压降。这个参数对于功率损失的计算和效率分析非常重要。开关能量是指在IGBT开关过程中耗散的能量。最小化开关能量对于减少功率损失和提高整体效率至关重要。最后，门电荷表示将IGBT打开或关闭所需的电荷量。门电荷影响器件的开关速度和控制特性。通过考虑这些参数，工程师和设计师可以仔细选择最适合其应用要求的单个IGBT，确保其具有最佳的性能和可靠性。

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