晶体管 - IGBT - 模块
结果:
3,359
Manufacturer
Series
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
Supplier Device Package
Current - Collector Cutoff (Max)
Package / Case
Configuration
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Operating Temperature
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
IGBT Type
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Input
NTC Thermistor
Technology
Voltage
FET Feature
Voltage - Isolation
Type
Current
Reverse Recovery Time (trr)
Td (on/off) @ 25°C
Voltage - Off State
Structure
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)
Input Type
Test Condition
Current - Hold (Ih) (Max)
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)
Switching Energy
Current - On State (It (AV)) (Max)
Grade
Number of SCRs, Diodes
Current - Collector Pulsed (Icm)
Qualification
Gate Charge
Current - On State (It (RMS)) (Max)
结果：3,359
晶体管 - IGBT - 模块
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种先进的功率半导体器件，广泛用作电子开关。这些三端器件具有高效率和快速开关能力的组合特性，使其在各种应用中非常灵活。
IGBT可以按照不同的配置方式作为模块使用，以满足特定电路的要求。这些配置包括非对称桥、升压和降压开关、制动开关、全桥设置、三级逆变器和三相逆变器。这种灵活性使得在各种系统中实现高效的电力控制和转换成为可能。
一些IGBT模块配备了内置的NTC热敏电阻器，用于温度监测。这个功能可以通过实时监测器件的温度并防止过热来确保安全运行。
IGBT模块根据几个关键参数进行区分。这些参数包括最大功率处理能力、集电极电流额定值、集电极-发射极击穿电压以及模块的具体配置。通过根据这些规范选择合适的IGBT模块，设计师可以优化电路的性能和可靠性。
总之，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种三端功率半导体器件，具有高效率和快速开关特性。它们可以按照不同的配置方式作为模块使用，以适应不同电路的要求。内置温度监测功能和基于关键参数的模块区分使得IGBT在需要高效和精确电力控制的应用中成为多功能的选择。
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