Wolfspeed
Wolfspeed 是碳化硅 (SiC) 功率和射频 (RF) 半导体的领先制造商。 Wolfspeed 的历史可以追溯到 1985 年，一直处于 SiC 技术的前沿，为汽车、可再生能源、航空航天和电信等各个行业提供高性能解决方案。 该公司的产品组合包括各种基于 SiC 的器件，包括电源模块、MOSFET 和二极管，与传统的硅基器件相比，这些器件具有卓越的性能、效率和可靠性。 此外，Wolfspeed 还提供射频器件，为 5G 无线网络和其他高频应用提供更快、更可靠的通信。 Wolfspeed 的 SiC 技术与传统硅基器件相比具有众多优势，包括更高的功率密度、更低的开关损耗和卓越的热管理能力，使其成为恶劣环境中要求苛刻的应用的理想选择。 此外，Wolfspeed 致力于可持续发展，在制造过程中实施环保实践并减少碳足迹。
单 FET，MOSFET
结果:
2
Series
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果：2
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Wolfspeed
关于 单 FET，MOSFET
离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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