PerFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
28
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Operating Temperature
Grade
Mounting Type
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Package / Case
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Technology
结果28
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PerFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)Operating TemperatureGradePackage / CaseTechnologySeriesFET FeatureRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdSupplier Device PackageCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Gate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
TSM043NH04LCR RLG
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount, Wettable Flank
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
4.3mOhm @ 27A, 10V
2.2V @ 250µA
8-PDFNU (5x6)
20A (Ta), 54A (Tc)
4.5V, 10V
42 nC @ 10 V
±16V
2480 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
TSM043NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount, Wettable Flank
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
4.3mOhm @ 27A, 10V
3.6V @ 250µA
8-PDFNU (5x6)
20A (Ta), 54A (Tc)
7V, 10V
37 nC @ 10 V
±20V
2531 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
TSM056NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
5.6mOhm @ 27A, 10V
3.6V @ 250µA
8-PDFNU (5x6)
18A (Ta), 54A (Tc)
7V, 10V
27.3 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 25 V
78.9W (Tc)
-
TSM056NH04LCR RLG
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
5.6mOhm @ 27A, 10V
2.2V @ 250µA
8-PDFNU (5x6)
18A (Ta), 54A (Tc)
4.5V, 10V
30.4 nC @ 10 V
±16V
1940 pF @ 25 V
78.9W (Tc)
-
TQM025NH04LCR RLG
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount, Wettable Flank
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
2.5mOhm @ 50A, 10V
2.2V @ 250µA
8-PDFNU (4.9x5.75)
26A (Ta), 100A (Tc)
4.5V, 10V
95 nC @ 10 V
±16V
6228 pF @ 25 V
136W (Tc)
AEC-Q101
TQM025NH04CR-V RLG
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount, Wettable Flank
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
2.5mOhm @ 50A, 10V
3.6V @ 250µA
8-PDFNU (4.9x5.75)
26A (Ta), 100A (Tc)
7V, 10V
89 nC @ 10 V
±20V
5691 pF @ 25 V
136W (Tc)
AEC-Q101
TQM019NH04CR-V RLG
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount, Wettable Flank
N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
1.9mOhm @ 50A, 10V
3.6V @ 250µA
8-PDFNU (4.9x5.75)
30A (Ta), 100A (Tc)
7V, 10V
134 nC @ 10 V
±20V
9044 pF @ 25 V
150W (Tc)
AEC-Q101
TQM025NH04LCR-V RLG
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N-Channel
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
PerFET™
-
2.5mOhm @ 50A, 10V
2.2V @ 250µA
8-PDFNU (4.9x5.75)
26A (Ta), 100A (Tc)
4.5V, 10V
95 nC @ 10 V
±16V
6228 pF @ 25 V
136W (Tc)
AEC-Q101

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。