HiPerFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
317
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Mounting Type
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
结果317
搜索条目:
HiPerFET™
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseGradeTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Supplier Device PackageQualification
IXFH30N40Q
MOSFET N-CH 400V 30A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
30A (Tc)
4V @ 4mA
400 V
10V
160mOhm @ 15A, 10V
95 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
300W (Tc)
TO-247AD (IXFH)
-
IXFH32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
32A (Tc)
4.5V @ 4mA
500 V
10V
160mOhm @ 16A, 10V
190 nC @ 10 V
±20V
4925 pF @ 25 V
360W (Tc)
TO-247AD (IXFH)
-
IXFH40N50Q2
MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD
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6 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
40A (Tc)
4.5V @ 4mA
500 V
10V
160mOhm @ 500mA, 10V
110 nC @ 10 V
±30V
4850 pF @ 25 V
560W (Tc)
TO-247AD (IXFH)
-
IXFH66N20Q
MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
66A (Tc)
4V @ 4mA
200 V
10V
40mOhm @ 33A, 10V
105 nC @ 10 V
±30V
3700 pF @ 25 V
400W (Tc)
TO-247AD (IXFH)
-
IXFK150N15
MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
150A (Tc)
4V @ 8mA
150 V
10V
12.5mOhm @ 75A, 10V
360 nC @ 10 V
±20V
9100 pF @ 25 V
560W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
120A (Tc)
4V @ 8mA
250 V
10V
22mOhm @ 500mA, 10V
400 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 25 V
560W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK15N100Q
MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
15A (Tc)
5V @ 4mA
1000 V
10V
700mOhm @ 500mA, 10V
170 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
360W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
20A (Tc)
4.5V @ 8mA
1200 V
10V
750mOhm @ 500mA, 10V
160 nC @ 10 V
±30V
7400 pF @ 25 V
780W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
26A (Tc)
4.5V @ 4mA
600 V
10V
250mOhm @ 13A, 10V
200 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
360W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
32A (Tc)
4.5V @ 4mA
500 V
10V
160mOhm @ 16A, 10V
150 nC @ 10 V
±20V
3950 pF @ 25 V
416W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFK66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
66A (Tc)
4.5V @ 8mA
500 V
10V
80mOhm @ 500mA, 10V
200 nC @ 10 V
±30V
8400 pF @ 25 V
735W (Tc)
TO-264AA (IXFK)
-
IXFH24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
24A (Tc)
4.5V @ 4mA
500 V
10V
230mOhm @ 12A, 10V
95 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
300W (Tc)
TO-247AD (IXFH)
-
IXFL39N90
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
34A (Tc)
5V @ 8mA
900 V
10V
220mOhm @ 19.5A, 10V
375 nC @ 10 V
±20V
13400 pF @ 25 V
580W (Tc)
ISOPLUS264™
-
IXFL44N60
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
41A (Tc)
4.5V @ 8mA
600 V
10V
130mOhm @ 22A, 10V
330 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 25 V
500W (Tc)
ISOPLUS264™
-
IXFL44N80
MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
44A (Tc)
4V @ 8mA
800 V
10V
165mOhm @ 22A, 10V
380 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 25 V
550W (Tc)
ISOPLUS264™
-
IXFL60N60
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
60A (Tc)
4V @ 8mA
600 V
10V
80mOhm @ 30A, 10V
380 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 25 V
700W (Tc)
ISOPLUS264™
-
IXFN20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
20A (Tc)
4.5V @ 8mA
1200 V
10V
750mOhm @ 500mA, 10V
160 nC @ 10 V
±30V
7400 pF @ 25 V
780W (Tc)
SOT-227B
-
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
联系我们
135 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
340A (Tc)
4V @ 8mA
70 V
10V
4mOhm @ 100A, 10V
490 nC @ 10 V
±20V
12200 pF @ 25 V
700W (Tc)
SOT-227B
-
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
55A (Tc)
4.5V @ 8mA
500 V
10V
90mOhm @ 27.5A, 10V
330 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 25 V
625W (Tc)
SOT-227B
-
IXFN66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
-
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
66A (Tc)
4.5V @ 8mA
500 V
10V
80mOhm @ 500mA, 10V
199 nC @ 10 V
±30V
6800 pF @ 25 V
735W (Tc)
SOT-227B
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。