深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信等。

POWER MOS 7® 系列, 单 FET，MOSFET

结果:

156

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	Operating Temperature	FET Type	Package / Case	Grade	Supplier Device Package	Technology	Series	FET Feature	Vgs(th) (Max) @ Id	Drain to Source Voltage (Vdss)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Qualification

APT20M11JLL

Microchip Technology

MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP

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N-Channel

SOT-227-4, miniBLOC

ISOTOP®

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 5mA

200 V

176A (Tc)

11mOhm @ 88A, 10V

180 nC @ 10 V

10320 pF @ 25 V

APT10026JFLL

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP

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SOT-227-4, miniBLOC

ISOTOP®

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 5mA

1000 V

30A (Tc)

260mOhm @ 15A, 10V

267 nC @ 10 V

7114 pF @ 25 V

APT12031JFLL

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOTOP

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-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

SOT-227-4, miniBLOC

ISOTOP®

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 5mA

1200 V

30A (Tc)

10V

330mOhm @ 15A, 10V

365 nC @ 10 V

±30V

9480 pF @ 25 V

690AW (Tc)

APTM120U10SCAVG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

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-40°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

SP6

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 20mA

1200 V

116A (Tc)

10V

120mOhm @ 58A, 10V

1100 nC @ 10 V

±30V

28900 pF @ 25 V

3290W (Tc)

APTM20UM03FAG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 200V 580A SP6

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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SP6

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 15mA

200 V

580A (Tc)

10V

3.6mOhm @ 290A, 10V

840 nC @ 10 V

±30V

43300 pF @ 25 V

2270W (Tc)

APTM100UM65SCAVG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

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-40°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

Module

SP6

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 20mA

1000 V

145A (Tc)

10V

78mOhm @ 72.5A, 10V

1068 nC @ 10 V

±30V

28500 pF @ 25 V

3250W (Tc)

APT6021BFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

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Through Hole

N-Channel

TO-247-3

TO-247 [B]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 1mA

600 V

29A (Tc)

210mOhm @ 14.5A, 10V

80 nC @ 10 V

3470 pF @ 25 V

APT6017LFLLG

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 600V 35A TO264

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Through Hole

-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

TO-264 [L]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

600 V

35A (Tc)

10V

170mOhm @ 17.5A, 10V

100 nC @ 10 V

±30V

4500 pF @ 25 V

500W (Tc)

APT6021SFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 600V 29A D3PAK

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Surface Mount

N-Channel

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

D3PAK

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 1mA

600 V

29A (Tc)

210mOhm @ 14.5A, 10V

80 nC @ 10 V

3470 pF @ 25 V

APT8043SFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 800V 20A D3PAK

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N-Channel

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

D3PAK

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 1mA

800 V

20A (Tc)

430mOhm @ 10A, 10V

85 nC @ 10 V

2500 pF @ 25 V

APT10045LLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1000V 23A TO264

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Through Hole

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

TO-264 [L]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

1000 V

23A (Tc)

450mOhm @ 11.5A, 10V

154 nC @ 10 V

4350 pF @ 25 V

APT1001R6BFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-247-3

TO-247 [B]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 1mA

1000 V

8A (Tc)

10V

1.6Ohm @ 4A, 10V

55 nC @ 10 V

±30V

1320 pF @ 25 V

266W (Tc)

APT6010B2LLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

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-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-247-3 Variant

T-MAX™ [B2]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

600 V

54A (Tc)

10V

100mOhm @ 27A, 10V

150 nC @ 10 V

±30V

6710 pF @ 25 V

690W (Tc)

APT50M65LFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 500V 67A TO264

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-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

TO-264 [L]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

500 V

67A (Tc)

10V

65mOhm @ 33.5A, 10V

141 nC @ 10 V

±30V

7010 pF @ 25 V

694W (Tc)

APT50M65B2FLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

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-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-247-3 Variant

T-MAX™ [B2]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

500 V

67A (Tc)

10V

65mOhm @ 33.5A, 10V

141 nC @ 10 V

±30V

7010 pF @ 25 V

694W (Tc)

APT10035B2FLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

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-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-247-3 Variant

T-MAX™ [B2]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

1000 V

28A (Tc)

10V

370mOhm @ 14A, 10V

186 nC @ 10 V

±30V

5185 pF @ 25 V

690W (Tc)

APT8020B2FLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

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N-Channel

TO-247-3 Variant

T-MAX™ [B2]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

800 V

38A (Tc)

220mOhm @ 19A, 10V

195 nC @ 10 V

5200 pF @ 25 V

APT6010LFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 600V 54A TO264

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N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

TO-264 [L]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

600 V

54A (Tc)

100mOhm @ 27A, 10V

150 nC @ 10 V

6710 pF @ 25 V

APT12067LFLLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1200V 18A TO264

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Through Hole

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

TO-264 [L]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

1200 V

18A (Tc)

670mOhm @ 9A, 10V

150 nC @ 10 V

4420 pF @ 25 V

APT12057B2LLG

Microchip Technology

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

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N-Channel

TO-247-3

T-MAX™ [B2]

MOSFET (Metal Oxide)

POWER MOS 7®

5V @ 2.5mA

1200 V

22A (Tc)

10V

570mOhm @ 11A, 10V

290 nC @ 10 V

±30V

6200 pF @ 25 V

690W (Tc)

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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