NexFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
240
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果240
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NexFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperaturePackage / CaseSupplier Device PackageFET TypeGradeSeriesTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA (1x1)
P-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.2A (Ta)
900mV @ 250µA
12 V
1.5V, 4.5V
53mOhm @ 500mA, 4.5V
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
1W (Ta)
-
CSD17581Q5AT
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSONP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
24A (Ta), 123A (Tc)
1.7V @ 250µA
30 V
4.5V, 10V
3.4mOhm @ 16A, 10V
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
3.1W (Ta), 83W (Tc)
-
CSD22205LT
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
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5,666 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
4-XFLGA
4-PICOSTAR
P-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
7.4A (Ta)
1.05V @ 250µA
8 V
1.5V, 4.5V
9.9mOhm @ 1A, 4.5V
8.5 nC @ 4.5 V
-6V
1390 pF @ 4 V
600mW (Ta)
-
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSONP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
50A (Tc)
3.5V @ 250µA
60 V
6V, 10V
13mOhm @ 12A, 10V
18 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
3.2W (Ta), 75W (Tc)
-
CSD23203WT
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
6-UFBGA, DSBGA
6-DSBGA (1x1.5)
P-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3A (Ta)
1.1V @ 250µA
8 V
1.8V, 4.5V
19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
6.3 nC @ 4.5 V
-6V
914 pF @ 4 V
750mW (Ta)
-
CSD17318Q2T
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
6-WDFN Exposed Pad
6-WSON (2x2)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
25A (Tc)
1.2V @ 250µA
30 V
2.5V, 8V
15.1mOhm @ 8A, 8V
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
16W (Tc)
-
CSD16407Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
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10,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSONP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
31A (Ta), 100A (Tc)
1.9V @ 250µA
25 V
4.5V, 10V
2.4mOhm @ 25A, 10V
18 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
2660 pF @ 12.5 V
3.1W (Ta)
-
CSD18533KCS
MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220-3
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
72A (Ta), 100A (Tc)
2.3V @ 250µA
60 V
4.5V, 10V
6.3mOhm @ 75A, 10V
34 nC @ 10 V
±20V
3025 pF @ 30 V
192W (Tc)
-
CSD17559Q5T
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON-CLIP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Ta)
1.7V @ 250µA
30 V
4.5V, 10V
1.15mOhm @ 40A, 10V
51 nC @ 4.5 V
±20V
9200 pF @ 15 V
3.2W (Ta), 96W (Tc)
-
CSD18510KTTT
MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
TO-263 (DDPAK-3)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
274A (Tc)
2.3V @ 250µA
40 V
4.5V, 10V
2.6mOhm @ 100A, 10V
132 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 15 V
250W (Ta)
-
CSD18532NQ5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON-CLIP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Ta)
3.4V @ 250µA
60 V
6V, 10V
3.4mOhm @ 25A, 10V
64 nC @ 10 V
±20V
5340 pF @ 30 V
3.1W (Ta), 156W (Tc)
-
CSD18532Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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2,816 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSONP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Ta)
2.2V @ 250µA
60 V
4.5V, 10V
3.2mOhm @ 25A, 10V
58 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
3.2W (Ta), 156W (Tc)
-
CSD16401Q5T
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON-CLIP (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Ta)
1.9V @ 250µA
25 V
4.5V, 10V
1.6mOhm @ 40A, 10V
29 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
4100 pF @ 12.5 V
3.1W (Ta)
-
CSD18536KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
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979 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220-3
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
200A (Ta)
2.2V @ 250µA
60 V
4.5V, 10V
1.6mOhm @ 100A, 10V
108 nC @ 10 V
±20V
11430 pF @ 30 V
375W (Tc)
-
CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220-3
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Ta)
3.2V @ 250µA
80 V
6V, 10V
2.3mOhm @ 100A, 10V
156 nC @ 10 V
±20V
12200 pF @ 40 V
375W (Tc)
-
CSD13202Q2T
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
6-WDFN Exposed Pad
6-WSON (2x2)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
14.4A (Ta)
1.1V @ 250µA
12 V
2.5V, 4.5V
9.3mOhm @ 5A, 4.5V
6.6 nC @ 4.5 V
±8V
997 pF @ 6 V
2.7W (Ta)
-
CSD16342Q5AT
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
21A (Ta), 100A (Tc)
1.1V @ 250µA
25 V
2.5V, 8V
4.7mOhm @ 20A, 8V
7.1 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
1350 pF @ 12.5 V
3W (Ta)
-
CSD16411Q3T
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
50A (Tc)
2.3V @ 250µA
25 V
4.5V, 10V
10mOhm @ 10A, 10V
3.8 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
570 pF @ 12.5 V
35W (Tc)
-
CSD18537NQ5A-P
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
11A (Ta), 54A (Tc)
3.5V @ 250µA
60 V
6V, 10V
13mOhm @ 12A, 10V
18 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
3.2W (Ta), 75W (Tc)
-
CSD16323Q3T
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
N-Channel
-
NexFET™
MOSFET (Metal Oxide)
-
20A (Ta), 105A (Tc)
1.4V @ 250µA
25 V
3V, 8V
4.5mOhm @ 24A, 8V
8.4 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
1300 pF @ 12.5 V
2.8W (Ta), 74W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。