UMW
UTD Semiconductor是半导体行业的领先公司，专注于设计、开发和制造先进的半导体产品。公司秉承前沿科技和创新理念，为包括消费电子、汽车、电信和工业等各种应用领域提供高质量的集成电路、电源管理解决方案、存储器件和传感器等产品。UTD Semiconductor致力于提供在性能、可靠性和能效方面卓越的产品。公司拥有最先进的制造设施和严格的质量控制流程，确保其产品符合最高的行业标准。他们与客户密切合作，通过一支技术娴熟的工程师和专家团队，提供定制化解决方案和全面支持。UTD Semiconductor非常重视可持续发展和环境责任，积极实施环保实践。凭借对创新、质量和客户满意度的坚定承诺，UTD Semiconductor已经确立了自己在半导体行业中的地位，成为备受信赖的领先企业，并不断推动行业进步，满足不断变化的广泛客户需求。
FET，MOSFET 阵列
结果:
2
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Package / Case
Power - Max
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Operating Temperature
FET Feature
Configuration
Grade
Mounting Type
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Technology
结果：2
搜索条目:
UMW
关于 FET，MOSFET 阵列
场效应晶体管（FET）是利用电场调节电流流动的电子器件。通过对栅极施加电压，可以改变漏极和源极之间的电导率。与双极晶体管不同，FET是单极性晶体管，意味着它们依赖于一种类型的载流子来进行操作。这可以是电子或空穴，但不能同时存在。 FET的一个关键优势是其在低频下具有很高的输入阻抗。这个特性源于FET的栅极端子不会吸引任何电流，因为它被设计成以电压驱动模式工作。因此，与类似配置的双极晶体管相比，FET的输入阻抗可以高出几个数量级。 场效应晶体管有多种类型，最常见的是结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。JFET利用反向偏置的pn结来控制电流流动，而MOSFET使用氧化层来隔离栅极和通道区域。 FET在电子领域有许多应用，包括放大器、开关、振荡器和电压稳压器。由于其具有高输入阻抗，FET经常用于低功耗电路中，其中低负载效应和信号质量是关键考虑因素。 总而言之，场效应晶体管（FET）是利用电场控制电流流动的电子器件。它们是单极性晶体管，依靠一种类型的载流子进行操作。FET在低频下具有高输入阻抗，非常适合在低功耗应用中使用，其中信号质量是关键因素。
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