光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

结果:
75
Manufacturer
Series
Cell Resistance @ Illuminance
Cell Resistance (Min) @ Dark
Voltage - Max
Rise Time (Typ)
Wavelength
Operating Temperature
Fall Time (Typ)
Supplier Device Package
Package / Case
Mounting Type
结果75
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeWavelengthSupplier Device PackageOperating TemperaturePackage / CaseCell Resistance @ IlluminanceFall Time (Typ)Rise Time (Typ)Cell Resistance (Min) @ DarkVoltage - Max
NSL-45S5150
TO-18 PHOTOCELL (CDS PHOTORESIST
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
550nm
TO-18
-60°C ~ 75°C (TA)
TO-18-2
-
-
-
-
60Vpk
02-LDR15
12MM LDR 50K-100K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
50 ~ 100kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
8 MOhms @ 10 s
250VDC
02-LDR2
PHOTOCELL 5-10K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
540nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
5 ~ 10kOhms @ 10 lux
30 ms
30 ms
500 Ohms @ 10 s
100VDC
02-LDR4
5MM LDR 30K-50K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
540nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
30 ms
20 ms
3 MOhms @ 10 s
150VDC
02-LDR3
PHOTOCELL 100-200K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
540nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
100 ~ 200kOhms @ 10 lux
30 ms
20 ms
10 kOhms @ 10 s
100VDC
02-LDR14
10MM LDR 30K-50K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
5 MOhms @ 10 s
250VDC
02-LDR13
12MM LDR 10K-20K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
10 ~ 20kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
2 MOhms @ 10 s
250VDC
02-LDR20
20MM LDR 5K-10K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
5 ~ 10kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
1 MOhms @ 10 s
500VDC
02-LDR22
20MM LDR 30K-50K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
5 MOhms @ 10 s
500VDC
02-LDR23
20MM LDR 50K-100K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
50 ~ 100kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
8 MOhms @ 10 s
500VDC
02-LDR21
20MM LDR 10K-20K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
10 ~ 20kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
2 MOhms @ 10 s
500VDC
02-LDR12
12MM LDR 5K-10K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Through Hole
560nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
5 ~ 10kOhm @ 10 lux
30 ms
30 ms
1 MOhms @ 10 s
250VDC
02-LDR1
PHOTOCELL 50-100K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
SEN-09088
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
540nm
Radial
-30°C ~ 70°C (TA)
Radial
8 ~ 20kOhms @ 10 lux
-
-
1 MOhms @ 10 s
150V
PART PHOTORESISTOR
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NSL-5162
CDS PHOTORESISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
550nm
-
-60°C ~ 75°C (TA)
Radial
3 ~ 100kOhms @ 10 lux
-
-
67 MOhms @ 5 s
100Vpk
PDV-P9004
CDS PHOTORES 27K-60KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
520nm
-
-30°C ~ 75°C (TA)
Radial
27 ~ 60kOhms @ 10 lux
25 ms
60 ms
2 MOhms @ 10 s
150Vpk
PDV-P9006
CDS PHOTORES 80K-200KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
520nm
-
-30°C ~ 75°C (TA)
Radial
80 ~ 200kOhms @ 10 lux
25 ms
60 ms
5 MOhms @ 10 s
150Vpk
PDV-P9005-1
CDS PHOTORES 48K-140KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
520nm
-
-30°C ~ 75°C (TA)
Radial
48 ~ 140kOhms @ 10 lux
25 ms
60 ms
20 MOhms @ 10 s
150Vpk
PDV-P9003-1
CDS PHOTORES 23K-33KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Through Hole
520nm
-
-30°C ~ 75°C (TA)
Radial
23 ~ 33kOhms @ 10 lux
25 ms
60 ms
1 MOhms @ 10 s
150Vpk

关于  光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

硫化镉(CdS)光探测器,通常被称为光电阻、光敏电阻或光电导电池,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。这些器件广泛应用于需要光探测和控制的应用中。 CdS光探测器的基本工作原理基于光电导效应。在无光照射时,CdS材料具有较高的电阻,限制电流的流动。但是,当暴露在光线下时,光子会激发CdS中的电子,使它们移动并降低材料的电阻。因此,该器件作为受光控制的可变电阻器。 光电阻器的选择基于各种特性,包括电池电阻、最大电压和上升/下降时间。电池电阻确定器件在暗处的初始电阻,而最大电压指定可施加在光电阻上的最高电压,而不会损坏它。上升/下降时间指的是光强度增加或减少时电阻变化的速度。 这些光探测器在众多领域中应用广泛,包括光感应、自动照明控制、防盗报警、相机曝光控制和机器人技术等。它们能够检测并响应光强度的变化,使其在需要根据环境光条件进行自动调整或触发的情况下非常有用。 总之,CdS光探测器,也称为光电阻或光敏电阻,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。它们基于光电导效应工作,电阻值随着光强度的增加而减小。光电阻器的选择基于特性,如电池电阻、最大电压和上升/下降时间。这些器件在光感应、自动控制系统、防盗报警等领域具有众多应用,其光依赖性电阻可实现对环境光照条件的响应性调整。