Samsung Semiconductor

Samsung Semiconductor

三星半导体是三星电子的一个部门,是世界领先的半导体解决方案提供商。 三星半导体成立于 1974 年,历史悠久,已成为尖端技术和创新产品的代名词。 该公司提供全面的半导体解决方案,包括存储器、逻辑器件、图像传感器和显示驱动器 IC。 这些组件广泛应用于智能手机、平板电脑、个人电脑和汽车电子等领域。 三星半导体对研发的承诺带来了半导体技术的显着进步,实现了更高的性能、更高的效率和更大的存储容量。 凭借全球影响力和对客户满意度的高度重视,三星半导体不断推动半导体行业的创新,提供高质量的解决方案,满足不断发展的市场需求。

存储器

结果:
53
Series
Memory Organization
Memory Size
Supplier Device Package
Voltage - Supply
Operating Temperature
Clock Frequency
Write Cycle Time - Word, Page
Package / Case
Technology
Memory Format
Memory Interface
Memory Type
Access Time
Grade
Mounting Type
Qualification
结果53
搜索条目:
Samsung Semiconductor
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperatureTechnologyAccess TimeGradeVoltage - SupplyMemory TypeMemory FormatMemory SizeMemory OrganizationMemory InterfaceClock FrequencyWrite Cycle Time - Word, PagePackage / CaseQualification
K4F8E304HB-MGCJ
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
5+
$17.2500
10+
$16.1000
15+
$15.5250
数量
16,640 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
-25°C ~ 85°C
-
-
-
1.1V
Volatile
DRAM
8Gbit
256M x 32
Parallel
1866 MHz
-
200-TFBGA
-
K4F6E3S4HM-MGCJ
LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
5+
$54.5100
10+
$50.8760
15+
$49.0590
数量
14,740 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
-25°C ~ 85°C
-
-
-
1.1V
Volatile
DRAM
16Gbit
512M x 32
Parallel
1866 MHz
-
200-TFBGA
-
K6X1008C2D-TF55
SRAM ASYNC SLOW 1M 128Kx8 5V 32-
5+
$15.0000
10+
$14.0000
15+
$13.5000
数量
3,880 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-TSOP REVERSE
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
1Mbit
128K x 8
Parallel
-
55ns
-
-
K6X0808C1D-BF70
SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 28-S
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数量
1 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
28-SOP
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
256Kbit
32K x 8
Parallel
-
70ns
-
-
K4B1G1646I-BYMA000
DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
0°C ~ 95°C
-
-
-
1.35V
Volatile
DRAM
1Gbit
64M x 16
Parallel
933 MHz
-
96-TFBGA
-
K4S510432D-UC75
IC DRAM 512MBIT LVTTL 54TSOP II
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
54-TSOP II
0°C ~ 70°C (TA)
SDRAM
65 ns
3V ~ 3.6V
Volatile
DRAM
512Mbit
128M x 4
LVTTL
133 MHz
-
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
K9F8008WOM-TCB
FLASH NAND SLC 8MB 3.3V 48-PIN T
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
48-TSOP
0°C ~ 70°C
FLASH - NAND (SLC)
-
-
2.7V ~ 5.5V
Non-Volatile
FLASH
8Mbit
1M x 8
Parallel
-
-
-
-
K9F8008W0M-TCB0
FLASH NAND SLC 8MB 3.3V 48-PIN T
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
48-TSOP
0°C ~ 70°C
FLASH - NAND (SLC)
-
-
2.7V ~ 5.5V
Non-Volatile
FLASH
8Mbit
1M x 8
Parallel
-
-
-
-
K4A4G085WE-BCRC
DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
0°C ~ 95°C
-
-
-
1.2V
Volatile
DRAM
4Gbit
512M x 8
Parallel
-
-
78-FBGA
-
K4B4G1646E-BYK000
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
-
0°C ~ 95°C
-
-
-
1.35V
Volatile
DRAM
4Gbit
256M x 16
Parallel
800 MHz
-
96-TFBGA
-
K4S510432D-UC75T00
IC DRAM 512MBIT LVTTL 54TSOP II
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
54-TSOP II
0°C ~ 70°C (TA)
SDRAM
65 ns
-
3V ~ 3.6V
Volatile
DRAM
512Mbit
128M x 4
LVTTL
133 MHz
-
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
-
K6R1008C1D-TC10T00
SRAM ASYNC FAST 1MB 128x8 5V 32-
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-TSOP II
0°C ~ 70°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
5V
Volatile
SRAM
1Mbit
128K x 8
Parallel
-
10ns
-
-
K6X0808C1D-GF70000
SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 28-S
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
28-SOP
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
256Kbit
32K x 8
Parallel
-
70ns
-
-
K6T4008C1C-GL55T
SRAM ASYNC SLOW 4M 512Kx8 5V 32-
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-SOP
0°C ~ 70°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
5V
Volatile
SRAM
4Mbit
512K x 8
Parallel
-
55ns
-
-
K6R1008V1C-JC12000
SRAM ASYNC FAST 1MB 128Kx8 3.3V
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-SOJ
0°C ~ 70°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
3.3V
Volatile
SRAM
1Mbit
128K x 8
Parallel
-
12ns
-
-
K6X0808C1D-BF70T
SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 28-S
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
28-SOP
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
256Kbit
32K x 8
Parallel
-
70ns
-
-
K6F1616U6A-EF55T
SRAM ASYNC SLOW 16M 1Mx16 3V 48-
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
48-TFBGA (7.5x9.5)
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
2.7V ~ 3.6V
Volatile
SRAM
16Mbit
1M x 16
Parallel
-
55ns
-
-
K6X0808C1D-GF55T
SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 28-S
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
28-SOP
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
256Kbit
32K x 8
Parallel
-
55ns
-
-
K6X4008C1F-MF55T00
SRAM ASYNC SLOW 4MB 512Kx8 5V 32
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-TSOP REVERSE
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
4Mbit
512K x 8
Parallel
-
55ns
-
-
K6X4008C1F-MF55
SRAM ASYNC SLOW 4MB 512Kx8 5V 32
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Surface Mount
32-TSOP REVERSE
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
-
4.5V ~ 5.5V
Volatile
SRAM
4Mbit
512K x 8
Parallel
-
55ns
-
-

关于  存储器

存储器是指用于集成电路的数据存储的半导体设备。存储器设备有各种格式,包括CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM(PRAM)、PSRAM、RAM和SRAM。这些格式可以分为非易失性存储器和易失性存储器两类。 非易失性存储器(如EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM和PCM)即使在断电时也能保留存储的数据。这使得它们适用于数据保留至关重要的应用,例如存储固件或配置设置。 易失性存储器(包括DRAM、PSRAM、RAM和SRAM)需要电源来维持存储的数据。尽管易失性存储器在断电时会丢失内容,但它具有更快的读写速度,因此非常适用于临时存储和动态数据处理任务。 存储器的容量大小差异很大,从小容量的64位到大容量的6太比特不等。存储器设备的接口取决于具体的格式,可以包括I2C、MMC、Parallel、eMMC、Serial、Single Wire、SPI、UFS、Xccela Bus和1-Wire等选项。这些接口确定存储器设备与系统的其他部分如何进行通信。 集成电路(IC)-存储器在数字系统中存储和访问数据起着关键作用。它们提供了所需的存储容量和性能特征,以实现高效的数据管理。无论是用于长期存储的非易失性存储器还是用于临时数据处理的易失性存储器,存储器IC都能够实现各种电子设备和系统的功能,包括计算机、智能手机、物联网设备等。