SmartRectifier™ 系列, 栅极驱动器

结果:
6
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Rise / Fall Time (Typ)
Current - Peak Output (Source, Sink)
Voltage - Supply
Operating Temperature
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Package / Case
Channel Type
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
Logic Voltage - VIL, VIH
结果6
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SmartRectifier™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseSupplier Device PackageOperating TemperatureVoltage - SupplyGradeInput TypeSeriesDriven ConfigurationChannel TypeNumber of DriversGate TypeLogic Voltage - VIL, VIHCurrent - Peak Output (Source, Sink)Rise / Fall Time (Typ)High Side Voltage - Max (Bootstrap)Qualification
IR1167ASTRPBF
IR1167AS - SYNCHRONOUS RECTIFICA
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20,040 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-25°C ~ 125°C (TJ)
12V ~ 18V
-
Non-Inverting
SmartRectifier™
Low-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
2A, 7A
18ns, 10ns
-
-
IR1166STRPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-25°C ~ 125°C (TJ)
11.4V ~ 18V
-
Non-Inverting
SmartRectifier™
Low-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
1A, 4A
21ns, 10ns
-
-
IR1167BSTRPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-25°C ~ 125°C (TJ)
12V ~ 18V
-
Non-Inverting
SmartRectifier™
Low-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
2A, 7A
18ns, 10ns
-
-
111-4095PBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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8-SOIC
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-
Non-Inverting
SmartRectifier™
Low-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
2A, 7A
18ns, 10ns
-
-
IR1167BSPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-25°C ~ 125°C (TJ)
12V ~ 18V
-
Non-Inverting
SmartRectifier™
Low-Side
Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
2A, 7A
18ns, 10ns
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IR1166SPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-25°C ~ 125°C (TJ)
11.4V ~ 18V
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Single
1
N-Channel MOSFET
2V, 2.15V
1A, 4A
21ns, 10ns
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关于  栅极驱动器

栅极驱动器是电子元件的组合,它们协同工作以促进各种应用中的电源管理和控制。 具体来说,栅极驱动器是一种 IC,它提供必要的功能,将控制信号从控制器件连接到功率转换应用中的 FET(场效应晶体管)或 IGBT(绝缘栅双极晶体管)等半导体器件。 栅极驱动器的主要目的是实现对流经这些半导体器件的功率流的控制和切换。 它们通过提供隔离、放大、参考移位、自举和其他确保控制器件和半导体器件之间无缝信号传输的基本操作等功能来实现这一目标。 隔离对于防止控制电路和电源电路之间的任何干扰或反馈至关重要,从而确保系统的安全性和稳定性。 放大允许控制信号达到有效驱动半导体器件所需的必要电压或电流水平。 参考移位确保控制信号与半导体器件的特定电压电平一致。 自举通过利用电源的能量来提高栅极驱动电压,有助于提高栅极驱动器的效率。 通过提供这些功能,栅极驱动器 PMIC 能够精确控制功率流和半导体器件的高效开关,从而优化电源转换系统的性能和可靠性。 它们通常用于电机控制应用、可再生能源系统、电源和其他需要高效电源管理的电力电子应用。 总体而言,集成电路-电源管理-栅极驱动器构成了电源转换系统的关键部分,可实现控制器件和半导体器件之间的有效通信和控制。 它们有助于提高各种电源管理应用的效率、可靠性和性能。