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供应商:
Infineon Technologies描述:
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
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类型 | 描述 |
---|---|
Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | CoolMOS™ CP |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
IPB60R199CPATMA1 - 来自制造商: Infineon Technologies, 它是一款 MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 IPB60R199CPATMA1 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。