图片仅供参考,请参见产品规格
供应商:
Infineon Technologies描述:
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
感谢您访问我们的网站,如果您有任何问题,请与我们联系,我们将竭诚为您服务。
您可以通过电子邮件,Skype和填写下面的表格与我们联系。
智勤芯城向全国数百个城市发货。使用下拉选择指定城市以查看运输费用。
运送到特定城市的订单可以根据订单数量和/或包裹大小和重量获得免费送货资格。
类型 | 描述 |
---|---|
Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | CoolMOS™PFD7 |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 7.8A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 390µA |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1503 pF @ 400 V |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 - 来自制造商: Infineon Technologies, 它是一款 MOSFET N-CH 650V 25A TO220, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 IPAN60R125PFD7SXKSA1 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。