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供应商:
Infineon Technologies描述:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
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类型 | 描述 |
---|---|
Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | CoolSIC™ M1 |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 496 pF @ 400 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 8.9A, 18V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 18 V |
Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3mA |
Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Vgs (Max) | +23V, -5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
IMZA65R107M1HXKSA1 - 来自制造商: Infineon Technologies, 它是一款 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 IMZA65R107M1HXKSA1 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。