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供应商:
Infineon Technologies描述:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
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类型 | 描述 |
---|---|
Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | CoolSiC™ |
Package / Case | TO-247-4 |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
FET Feature | Current Sensing |
Power Dissipation (Max) | 228W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Vgs (Max) | +20V, -10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 15 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 800 V |
IMZ120R045M1XKSA1 - 来自制造商: Infineon Technologies, 它是一款 SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 IMZ120R045M1XKSA1 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。