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供应商:
Texas Instruments描述:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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类型 | 描述 |
---|---|
Category | |
Manufacturer | Texas Instruments |
Series | NexFET™ |
Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | P-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 512 pF @ 6 V |
CSD23202W10 - 来自制造商: Texas Instruments, 它是一款 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 CSD23202W10 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。